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Caractérisation de matériaux en micro-ondes et infrarouge

Plates-formes de caractérisation de matériaux en micro-ondes et infrarouge


Description générale:

Caractérisation de matériaux: plates-formes de mesures électrique, diélectrique et magnétique aux fréquences micro-ondes; plates-formes de mesures optiques en infrarouge proche et lointain.

Fonctionnalités et caractéristiques:

  • Banc de mesures en réflexion et transmission de permittivité complexe (scalaire ou tensorielle), de perméabilité complexe, sur une large bande de fréquences (40 Hz - 40 GHz) et en fonction de la température (200 K - 470 K).

  • Banc de mesures de la permittivité complexe jusqu'à 1000 K.

  • Banc de mesures de la permittivité complexe de matériaux chauffés par micro-ondes (générateur à 2,45 GHz - 200 W).

  • Banc de mesures en espace libre en construction (2GHz-18GHz) de caractérisation des propriétés électriques, diélectriques de matériaux et de dispositifs antennaires.

  • Banc de mesures de circuits hyperfréquences sous pointes (100 kHz - 18 GHz).

  • Banc de mesures de la réponse optique en infrarouge proche (800 nm et 850 nm) en fonction de la température (77-300 K).

  • Banc de mesures en construction de la réponse optique en infrarouge lointain (0,5 THz à 10 THz) en fonction de la température (35 K - 300 K).

Moyens de mesures et de calcul:

  • Analyseurs de réseaux et d'impédances : HP8510B (45 MHz-40 GHz), HP8751 (5 Hz-110 MHz), Agilent A4294A (40Hz-110 MHz), A4291A (1 MHz-1,8 GHz).

  • Fours pour mesures de permittivité complexe jusqu'à 1000 K; Source micro-ondes à 2,45 GHz - 200 W.

  • Logiciels de caractérisation diélectrique.

  • Cryostat ARS avec cryogénérateur APD (70 K-300 K); régulation Lakeshore (5mK à 90K).

  • Cryostat IRlabs à large volume avec cryogénérateur ARS (35 K - 300 K), équipé pour détection hétérodyne THz.

  • Diode laser VCSEL GaAs (Honeywell) délivrant 4 mW à 850 nm, modulable jusqu'à 1,2 GHz (générateurs de fonctions HP et Marconi), avec platine de positionnement micrométrique MICOS.

  • Source laser femtoseconde (Femtolaser) délivrant 100 mW moyens à 800 nm, impulsions 50 fs avec récurrence 70 MHz.

  • Lock-in numériques 100 kHz et 250 MHz (Stanford Research), préamplificateurs faible bruit courant et tension (Stanford Research), analyseur de spectre 21 GHz (Anritsu), source-mètres (Keithley), oscilloscopes numériques (Le Croy et Agilent).

Domaines d'applications:

Matériaux diélectriques, ferroélectriques, magnétiques, semiconducteurs, supraconducteurs, composites, sous forme de solides, liquides ou encore de couches minces. Contrôle de processus sous micro-ondes. Composants coplanaires hyperfréquences à commande électrique. Matrices de détecteurs semiconducteurs et supraconducteurs.

Les différents bancs :

Banc de caractérisation diélectrique large bande (40 Hz – 40 GHz) Banc de caractérisation diélectrique à 800°C

Banc de caractérisation diélectrique large bande (40 Hz - 40GHz).

Banc de caractérisation diélectrique à 800°C

Platine du banc de caractérisation sous pointes coplanaires (1 Hz – 18 GHz) Banc cryogénique (77-300 K) de caractérisation optique à 800 nm et 850 nm.

Platine du banc de caractérisation sous pointes coplanaires (1 Hz - 18 GHz)

Banc cryogénique (77-300 K) de caractérisation optique à 800 nm et 850 nm.